本文摘要：5月28日，三星电子在坐落于美国的2018年三星半导体代工论坛上，发布其全面的芯片制程技术路线图，目前早已改版至3nm工艺。据介绍，三星的7nmLPP将沦为该公司首款用于EUV（极紫外光刻）方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分成LPE和LPP两代，不过7nm却是个值得注意，没LPE。 之前已发布，三星7nmLPP将于2018年下半年量产，2019年的高通和三星芯片未来将会使用该生产工艺。

5月28日，三星电子在坐落于美国的2018年三星半导体代工论坛上，发布其全面的芯片制程技术路线图，目前早已改版至3nm工艺。据介绍，三星的7nmLPP将沦为该公司首款用于EUV（极紫外光刻）方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分成LPE和LPP两代，不过7nm却是个值得注意，没LPE。

之前已发布，三星7nmLPP将于2018年下半年量产，2019年的高通和三星芯片未来将会使用该生产工艺。三星回应，在7nmLPP之后发售的5nmLPE将为SoC芯片获取更大的拓展面积和超强低功耗优势。此外，FinFET技术的用于将持续至4nm工艺。

比起上一代5nm，三星的4nmLPE和LPP可获取更加小的尺寸、更高的性能和更加慢的速度。预计于2022年量产。

从3nm开始，三星将舍弃FinFET结构，转而使用下一代器件架构GAA。为了解决FinFET结构在尺寸和性能方面的容许，三星正在研发基于GAA技术的MBCFET（MultiBridgeChannelFET，多桥地下通道），预计3nmGAAE和GAAP的性能将更进一步提高。目前，全球来看，三星电子在全球量产芯片市场的市场占有率已多达50％，并在销售额及营业利润两个指标上双双多达美国英特尔等竞争对手，高居芯片产业的龙头方位。

据Gadgetsnow网站报导，咨询公司Gartner公布近期研究报告表明，韩国三星电子公司已多达其美国竞争对手英特尔（Intel），沦为全球仅次于的半导体制造商。在2017年，归功于智能手机和其他联网设备的发展，全球芯片市场的规模快速增长了22％，快速增长到了4197亿美元。

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